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東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

 2021年11月30日

東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
從左到右:SO6L(LF4)和SO6L封裝

中國上海——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦——“TLP5705H”和“TLP5702H” ,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。這兩款器件于今日開始支持批量出貨。

TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。傳統采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備,現在可直接通過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數量并實現設計小型化。

TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統的SDIP6封裝的焊盤[1],便于替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠為電路板組件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,或用于器件高度受限的新型電路設計。

這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設計和保持溫度裕度。

此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。

注:
[1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)
[2] 現有產品:采用SDIP6封裝的TLP700H

應用

  • 工業設備
    • 工業逆變器、交流伺服驅動器、光伏逆變器、UPS等。

特性

  • 高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)
    IOP=±2.5A(TLP5702H)
    IOP=±5.0A(TLP5705H)
  • 薄型SO6L封裝
  • 高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃

主要規格

(除非另有說明,@Ta=-40℃至125℃)

器件型號

TLP5702H

TLP5705H

TLP5702H(LF4)

TLP5705H(LF4)

封裝

名稱

SO6L

SO6L(LF4)

尺寸(mm)

10×3.84(典型值),

厚度: 2.3(最大值)

11.05×3.84 (典型值),

厚度: 2.3(最大值)

絕對最大額定值

工作溫度Topr(°C)

-40至125

峰值輸出電流IOPH/IOPL(A)

±2.5

±5.0

±2.5

±5.0

電氣特性

峰值高電平輸出電流

IOPH最大值(A)

@IF=5mA,

VCC=15V,

V6-5=-7V

-2.0

峰值低電平輸出電流

IOPL最小值(A)

@IF=0mA,

VCC=15V,

V5-4=7V

2.0

峰值高電平輸出電流(L/H)

IOLH最大值(A)

@IF=0→10mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF

-3.5

-3.5

峰值低電平輸出(H/L)

IOHL最小值(A)

@IF=10→0mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF

3.0

3.0

電源電壓VCC (V)

15至30

電源電流ICCH,ICCL最大值(mA)

3.0

輸入電流閾值(L/H)

IFLH最大值(mA)

5

開關特性

傳播延遲時間

tpHL,tpLH最大值(ns)

200

脈寬失真

|tpHL–tpLH|最大值(ns)

50

傳播延遲差(器件到器件)

tpsk(ns)

-80至80

共模瞬變抗性

CMH,CML最小值(kV/μs)

@Ta=25°C

±50

隔離特性

隔離電壓

BVS最小值(Vrms)

@Ta=25°C

5000

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電話: +81-44-548-2218

中國地區
分立器件市場部(Discrete Marketing)
上海:021-6090-0610/深圳:0755-3661-5889

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