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SiC功率器件

與硅(Si)相比,碳化硅(SiC)是一種介電擊穿強度更大、飽和電子漂移速度更快且熱導率更高的半導體材料。因此,與硅器件相比,當用于半導體器件中時,碳化硅器件可以提供高耐壓、高速開關和低導通電阻。鑒于該特性,其將成為有助于降低能耗和縮小系統尺寸的下一代低損耗器件。

產品線

SiC MOSFET
東芝的1200V SiC MOSFET產品,可提供高速開關和低導通電阻,使其在高功率、高效率的工業電源、低損耗的太陽能逆變器和UPS產品中脫穎而出。
SiC肖特基勢壘二極管
東芝提供額定電流為2A至10A的650V碳化硅肖特基勢壘二極管(SiC SBD)。
SiC MOSFET模塊
我們的SiC MOSFET模塊具有高速開關性能,并使用SiC(碳化硅),這是一種針對低損耗和小型化應用設計的新型材料,適用于工業電源轉換器,例如電力鐵路的逆變器和光伏逆變器。
使用東芝的SiC MOSFET開啟電源的新大門
解決環境和能源問題是一個重要的全球性問題。隨著電力需求持續升高,對節能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉換系統的需求也迅速增加。
相比于傳統的硅(Si)MOSFET和IGBT產品,基于全新碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET具有耐高壓,高速開關,低導通電阻性能。除減少產品尺寸外,該類產品可極大降低功率損耗。
SiC MOSFET支持小型化、低損耗電源
使用SiC MOSFET的好處是什么?
與Si IGBT相比,東芝SiCMOS實現了低導通電阻和高速開關。
SiC MOSFET模塊的特點
我們的SiC MOSFET模塊實現了高可靠性,寬柵極-源極電壓和高柵極閾值電壓。 另外,高耐熱性和低電感封裝充分發揮了SiC的性能。
東芝SiC MOSFET模塊的特點
與IGBT模塊相比,SiC MOSFET模塊的低損耗特性可以降低總損耗(開關損耗+導通損耗)。高速開關和低損耗操作還有助于減小濾波器、變壓器和散熱器的尺寸,實現了緊湊、輕便的系統。
助力高輸出電源的高效率和低損耗
與FRD相比,恢復損耗大大降低:快速恢復二極管
SiC MOSFET有助于降低工業應用的功耗
東芝的TW070J120B 1200V SiC MOSFET具有低導通電阻,低輸入電容和低總柵極電荷總量的特性,因而可實現高開關速度并降低功耗。
SiC MOSFET的特性
由于碳化硅(SiC)的介電擊穿強度大約是硅(Si)的10倍,因此SiC功率器件可以提供高耐壓和低導通電阻。
低開關損耗SiC肖特基勢壘二極管(SBD)
通過使用SiC,實現了具有高耐壓和低開關損耗(低反向恢復電荷)的器件。

二極管 / SiC肖特基勢壘二極管

改進JBS結構以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力
采用改進的JBS結構,降低了SBD的泄漏電流和提高了浪涌電流能力

二極管/SiC肖特基二極管

適用于電源電路的SiC器件
SiC肖特基二極管(SBD)實現了使用Si肖特基二極管無法實現的高的SBD擊穿電壓,并且顯著降低了使用p-n結二極管無法實現的反向恢復時間(電荷),比如Si-FRD(快速恢復二極管)。

二極管/SiC肖特基二極管

SiC SBD的高耐壓(反向電壓)特性
實現了一種高擊穿電壓器件,其介電擊穿場強比硅SBD高近10倍。

二極管/SiC肖特基二極管

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